JFET và MOSFET khá giống nhau về nguyên tắc hoạt động và đặc tính điện.

Tuy nhiên, chúng khác nhau ở một số khía cạnh như:

Khái niệm cơ bản:

JFET và MOSFET đều là transistor điều khiển điện áp được sử dụng để khuếch đại tín hiệu cho analog và digital. Cả hai đều là các thiết bị đơn cực nhưng có thành phần khác nhau. JFET là thiết bị bán dẫn ba cực, trong khi MOSFET là thiết bị bán dẫn bốn cực.

Chế độ hoạt động:

Cả hai đều có độ dẫn truyền (transconductance) nhỏ hơn transistor lưỡng cực BJT. JFET chỉ hoạt động ở kiểu khuyết lập (depletion mode). Trong khi MOSFET có thể hoạt động ở cả kiểu khuyết lập và kiểu tăng cường (enhancement mode).

Trở kháng đầu vào:

JFET có trở kháng đầu vào cao nên nó nhạy cảm với tín hiệu điện áp đầu vào. Nhưng trở kháng đầu vào của MOSFET còn cao hơn làm tăng tính điện trở ở cực gate nhờ vào chất cách điện oxit kim loại.

Rò rỉ dòng điện (Gate Leakage Current):

Ngay khi thiết bị đã tắt vẫn có sự mất dần năng lượng điện. Trong khi JFET có rò rỉ dòng điện là 10^-9 A thì của MOSFET là 10^-12 A.

Thiệt hại điện trở (Damage Resistance):

MOSFET dễ bị hư do xả tĩnh điện (electrostatic discharge) vì chất cách điện oxit kim loại làm giảm điện dung của cực gate làm cho transistor nhạy cảm với điện áp cao. Ngược lại thì JFET ít nhạy cảm hơn với ESD bởi vì nó có điện dung đầu vào cao hơn.

Chi phí sản xuất:

Quy trình sản xuất JFET đơn giản, ít phức tạp hơn cho nên chi phí của nó thấp hơn so với MOSFET. Ngoài ra cũng phải tính thêm chi phí cho lớp oxit kim loại của MOSFET.

Ứng dụng:

JFET thích hợp cho các ứng dụng có độ nhiễu (noise) thấp như công tắc điện tử, bộ khuếch đại đệm…

Trong khi đó MOSFET lại thích hợp cho các ứng dụng độ nhiễu cao như chuyển mạch, khuếch đại tín hiệu analog hoặc digital, trong các ứng dụng điều khiển động cơ và hệ thống nhúng.